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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MJD117T4

MJD117T4 發(fā)布時間 時間�2024/8/22 14:27:40 查看 閱讀�377

設計用于通用電源和開�,如開關�(wěn)壓器、轉換器和功率放大器等應用中的輸出或驅動��

特征說明

用于塑料套管表面安裝應用的鉛(無后綴�
  塑料套筒直鉛版本(后綴�-1”)
  在電氣方面與流行的TIP31和TIP32系列相似
  NJV前綴適用于需要獨特場地和控制變更要求的汽車和其他應用;AEC-Q101合格且具備PPAP能力
  這些設備不含�,符合RoHS標準*

技術參�(shù)

額定電壓(DC)�-100 V
  額定電流�-2.00 A
  耗散功率�1750 mW
  擊穿電壓(集電�-�(fā)射極)�100 V
  最小電流放大倍數(shù)(hFE)�1000 2A,3V
  額定功率(Max)�1.75 W
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-65�
  增益帶寬�5MHz(Min)
  耗散功率(Max)�750 mW

封裝參數(shù)

安裝方式:Surface Mount
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-252-3

物理參數(shù)

  工作溫度�-65℃~150�(TJ)

符合標準

RoHS標準:Non-Compliant
  含鉛標準:Contains Lead

其他

�(chǎn)品生命周期:Unknown
  包裝方式:Tape&Reel(TR)

mjd117t4推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mjd117t4資料 更多>

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mjd117t4參數(shù)

  • 標準包裝10
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP - 達林�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)2A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)100V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)3V @ 40mA�4A
  • 電流 - 集電極截止(最大)20µA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)1000 @ 2A�3V
  • 功率 - 最�1.75W
  • 頻率 - 轉換25MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�DPAK-3
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱MJD117T4OSDKR