NTMFS5C670NLT1G是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用邏輯電平�(qū)動設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。此型號采用TO-263-3L(D2PAK)封裝形�,有助于提高散熱性能和電路可靠��
該MOSFET主要針對需要高效率、低功耗的場合�(shè)計,例如直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)控制以及電源管理��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�38A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�28nC
開關(guān)時間:開通延遲時� 19ns,關(guān)斷下降時� 16ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
NTMFS5C670NLT1G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.5mΩ典型值),在高頻開關(guān)條件下可顯著降低功率損��
2. 邏輯電平�(qū)動兼容�,允許使用較低的�(qū)動電壓(�3.3V�5V)來開啟MOSFET�
3. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)過程中的能量損�,適合高頻應(yīng)��
4. 高雪崩耐量和魯棒�,確保在異常情況下的可靠�(yùn)行�
5. TO-263封裝提供出色的熱管理和電氣連接性能�
這款MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)元件�
2. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路中的理想選擇,用于動�(tài)�(diào)整負(fù)載狀�(tài)�
3. 各種電機(jī)�(qū)動應(yīng)�,包括小型無刷直流電�(jī)(BLDC)控制器�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑控制�
5. 可再生能源設(shè)�,例如太陽能逆變器內(nèi)的功率調(diào)節(jié)模塊�
6. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的繼電器替代方案,以實�(xiàn)更高效的開關(guān)操作�
NTMFS5C670NLH1G, NTD5C670NLT1G