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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTMFS5C670NLT1G

NTMFS5C670NLT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/14 19:13:25 查看 閱讀�15

NTMFS5C670NLT1G是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用邏輯電平�(qū)動設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。此型號采用TO-263-3L(D2PAK)封裝形�,有助于提高散熱性能和電路可靠��
  該MOSFET主要針對需要高效率、低功耗的場合�(shè)計,例如直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)控制以及電源管理��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�38A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�28nC
  開關(guān)時間:開通延遲時� 19ns,關(guān)斷下降時� 16ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�

特�

NTMFS5C670NLT1G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.5mΩ典型值),在高頻開關(guān)條件下可顯著降低功率損��
  2. 邏輯電平�(qū)動兼容�,允許使用較低的�(qū)動電壓(�3.3V�5V)來開啟MOSFET�
  3. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)過程中的能量損�,適合高頻應(yīng)��
  4. 高雪崩耐量和魯棒�,確保在異常情況下的可靠�(yùn)行�
  5. TO-263封裝提供出色的熱管理和電氣連接性能�

�(yīng)�

這款MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)元件�
  2. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路中的理想選擇,用于動�(tài)�(diào)整負(fù)載狀�(tài)�
  3. 各種電機(jī)�(qū)動應(yīng)�,包括小型無刷直流電�(jī)(BLDC)控制器�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑控制�
  5. 可再生能源設(shè)�,例如太陽能逆變器內(nèi)的功率調(diào)節(jié)模塊�
  6. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的繼電器替代方案,以實�(xiàn)更高效的開關(guān)操作�

替代型號

NTMFS5C670NLH1G, NTD5C670NLT1G

ntmfs5c670nlt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ntmfs5c670nlt1g資料 更多>

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ntmfs5c670nlt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�126,486�(xiàn)�
  • 價格1 : �15.98000剪切帶(CT�1,500 : �7.83484卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)17A(Ta),71A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)6.1 毫歐 @ 35A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1400 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.6W(Ta��61W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線