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GA0402A1R0DXBAC31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 18:06:23 查看 閱讀:11

GA0402A1R0DXBAC31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效率功率開關(guān)器件,專為高頻、高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的 GaN HEMT 結(jié)構(gòu),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。
  相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,該型號(hào)具備更小的尺寸和更高的能效表現(xiàn),能夠顯著降低系統(tǒng)損耗并提升整體性能。

參數(shù)

型號(hào):GA0402A1R0DXBAC31G
  類型:GaN 功率開關(guān)
  最大漏源電壓(V_DS):600V
  最大柵源電壓(V_GS):±20V
  導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):40mΩ
  連續(xù)漏極電流(I_D):2A
  脈沖漏極電流(I_PULSE):8A
  輸入電容(Ciss):1500pF
  輸出電容(Coss):70pF
  反向恢復(fù)時(shí)間(t_rr):<20ns
  工作溫度范圍(T_j):-55°C 至 +150°C

特性

1. 基于氮化鎵技術(shù),提供卓越的高頻性能和低導(dǎo)通損耗。
  2. 具備超低的 R_DS(on),有效減少傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開關(guān)速度,可支持 MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率,適合高頻率應(yīng)用場(chǎng)景。
  4. 高擊穿電壓能力,確保在高壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
  5. 封裝緊湊,有助于縮小 PCB 占用面積并簡(jiǎn)化熱管理設(shè)計(jì)。
  6. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
  7. 內(nèi)置保護(hù)功能,包括過流保護(hù)和短路保護(hù),提升系統(tǒng)可靠性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,特別是高頻同步整流電路。
  3. 無線充電模塊中的高效能量傳輸。
  4. 汽車電子領(lǐng)域,如車載充電器(OBC)和逆變器。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
  6. LED 驅(qū)動(dòng)電源及光伏微型逆變器。
  7. 便攜式設(shè)備快充適配器的設(shè)計(jì)優(yōu)化。

替代型號(hào)

GA0402A1R0DXBAE21G
  GAN042-650BST
  STGAP100

ga0402a1r0dxbac31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容1 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-