NTMFS4H013NFT1G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-263 (D2PAK) 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。這種 MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動器以及電源管理�(lǐng)��
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷(典型值)�37nC
總電容(輸入電容):1320pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:TO-263 (D2PAK)
NTMFS4H013NFT1G 提供了極低的�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
其高開關(guān)速度和低柵極電荷�(shè)計有助于降低開關(guān)損��
器件的熱性能�(yōu)越,適合高溫�(huán)境下的功率應(yīng)��
采用了堅固耐用的設(shè)計,能夠承受較高的雪崩能��
符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,例� DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流、負(fù)載開�(guān)控制、電�(jī)�(qū)動電路以及電池保�(hù)��
它也適用于工�(yè)和汽車領(lǐng)域的電源管理模塊,例如電動車�、電動座椅調(diào)節(jié)和電子助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)�
此外,在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,這款 MOSFET 可用于適配器、充電器和其他便攜式�(shè)備的功率管理部分�
NTMFS4H013NFT1
IRF3205
FDP5500
AON7901