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NTMFS4H013NFT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 17:25:51 查看 閱讀�20

NTMFS4H013NFT1G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-263 (D2PAK) 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。這種 MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動器以及電源管理�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�37nC
  總電容(輸入電容):1320pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝類型:TO-263 (D2PAK)

特�

NTMFS4H013NFT1G 提供了極低的�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
  其高開關(guān)速度和低柵極電荷�(shè)計有助于降低開關(guān)損��
  器件的熱性能�(yōu)越,適合高溫�(huán)境下的功率應(yīng)��
  采用了堅固耐用的設(shè)計,能夠承受較高的雪崩能��
  符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,例� DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流、負(fù)載開�(guān)控制、電�(jī)�(qū)動電路以及電池保�(hù)��
  它也適用于工�(yè)和汽車領(lǐng)域的電源管理模塊,例如電動車�、電動座椅調(diào)節(jié)和電子助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)�
  此外,在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,這款 MOSFET 可用于適配器、充電器和其他便攜式�(shè)備的功率管理部分�

替代型號

NTMFS4H013NFT1
  IRF3205
  FDP5500
  AON7901

ntmfs4h013nft1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntmfs4h013nft1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�25 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)43A(Ta��269A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)0.9 毫歐 @ 30A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)56 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)3923 pF @ 12 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.7W(Ta��104W(Tc�
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線