GA1210A182KBBAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換和開關(guān)電路�。該型號屬于溝道增強(qiáng)型器�,具備低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,廣泛用于工�(yè)、汽車和消費(fèi)類電子領(lǐng)�。其�(shè)計優(yōu)化了熱性能和電氣性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
該芯片具有良好的耐用性和�(wěn)定性,適合長時間運(yùn)行在高溫或惡劣環(huán)境中。同時,它支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和大�(guī)模應(yīng)��
類型:MOSFET
封裝:TO-263
漏源極電�(Vds)�12V
連續(xù)漏極電流(Id)�100A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
總功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1210A182KBBAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有效減少功率損��
2. 高額定電流能�,滿足大功率�(yīng)用場景需��
3. 快速開�(guān)速度,適用于高頻功率�(zhuǎn)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐熱沖擊性能�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
6. 表面貼裝封裝,簡化生�(chǎn)工藝并提高效率�
這些特性使其成為電�(jī)�(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載切換等�(yīng)用的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力�(zhuǎn)�、制動控制和電池管理系統(tǒng)�
2. 工業(yè)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和驅(qū)動控��
3. 高效 DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)��
4. 大功� LED �(qū)動電��
5. 各種需要快速開�(guān)和低損耗的電子電路�
由于其卓越的性能,這款 MOSFET 在現(xiàn)代電子設(shè)計中備受青睞�
GA1210A185KBBAR31G, IRF1404, FDP16N12