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GA1210A182KBBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 18:15:12 查看 閱讀�12

GA1210A182KBBAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換和開關(guān)電路�。該型號屬于溝道增強(qiáng)型器�,具備低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,廣泛用于工�(yè)、汽車和消費(fèi)類電子領(lǐng)�。其�(shè)計優(yōu)化了熱性能和電氣性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  該芯片具有良好的耐用性和�(wěn)定性,適合長時間運(yùn)行在高溫或惡劣環(huán)境中。同時,它支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和大�(guī)模應(yīng)��

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-263
  漏源極電�(Vds)�12V
  連續(xù)漏極電流(Id)�100A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  總功�(Ptot)�150W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA1210A182KBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有效減少功率損��
  2. 高額定電流能�,滿足大功率�(yīng)用場景需��
  3. 快速開�(guān)速度,適用于高頻功率�(zhuǎn)��
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐熱沖擊性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  6. 表面貼裝封裝,簡化生�(chǎn)工藝并提高效率�
  這些特性使其成為電�(jī)�(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載切換等�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力�(zhuǎn)�、制動控制和電池管理系統(tǒng)�
  2. 工業(yè)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和驅(qū)動控��
  3. 高效 DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)��
  4. 大功� LED �(qū)動電��
  5. 各種需要快速開�(guān)和低損耗的電子電路�
  由于其卓越的性能,這款 MOSFET 在現(xiàn)代電子設(shè)計中備受青睞�

替代型號

GA1210A185KBBAR31G, IRF1404, FDP16N12

ga1210a182kbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-