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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTMFS4C10NT1G

NTMFS4C10NT1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 10:42:33 查看 閱讀�34

NTMFS4C10NT1G 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由 ON Semiconductor 公司生產(chǎn)。這款器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于各種電源管理和開關應用�
  該型號的設計旨在為設計者提供一種高性能的解決方�,特別適合在高頻開關條件下使�。其封裝形式� TO-263(DPAK�,便于安裝和散熱管理�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�8.7A
  導通電阻:8.5mΩ
  柵極電荷�19nC
  開關速度:快�
  封裝類型:TO-263(DPAK�

特�

NTMFS4C10NT1G 的主要特點是其低導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此�,其快速開關性能使得它非常適合用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器和電機驅動等應用中�
  該器件還具備出色的熱�(wěn)定性和耐用性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)可靠運行。由于其封裝體積較小且易于焊�,因此也非常適合表面貼裝技術(SMT)生�(chǎn)�(huán)境�

應用

NTMFS4C10NT1G 廣泛應用于多種電子領�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關模式電源(SMPS�
  2. DC-DC 轉換�
  3. 同步整流電路
  4. 電機驅動與控�
  5. 電池保護電路
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模�
  憑借其卓越的性能,這款 MOSFET 成為了許多工程師首選的功率開關元��

替代型號

NTMFS4C09N, IRFZ44N, FDP5500

ntmfs4c10nt1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntmfs4c10nt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,372�(xiàn)�
  • 價格1 : �11.13000剪切帶(CT�1,500 : �5.05359卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)8.2A(Ta�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)6.95 毫歐 @ 30A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)9.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)987 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)750mW(Ta),23.6W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線