SENC23T18V2B 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為高頻開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及�(yōu)異的熱性能�
其封裝形式通常� TO-252 � DPAK,適合表面貼裝技�(shù) (SMT) 的應(yīng)用環(huán)�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(lǐng)��
型號(hào):SENC23T18V2B
類型:N 溝道 MOSFET
Vds(漏源電壓)�100V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�7.6mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):23A
Qg(柵極電荷)�40nC
fsw(工作頻率):高�(dá) 1MHz
封裝:TO-252 / DPAK
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SENC23T18V2B 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低� Rds(on),能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的可靠��
4. 小型化封�,節(jié)� PCB 空間并兼� SMT 工藝�
5. 寬泛的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 出色的熱性能,有助于提升整體系統(tǒng)的散熱表�(xiàn)�
這些特性使得該器件非常適合于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)合�
SENC23T18V2B 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
4. 太陽能逆變器及電池管理系統(tǒng)�
5. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
其出色的性能使其成為許多�(xiàn)代電子系�(tǒng)中不可或缺的�(guān)鍵元��
SENC23T18V2B-Q, FDS8940, IRFZ44N