NTGS3441T1H 是一� N 沃半導體(ON Semiconductor)生�(chǎn)的高性能 P 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的工藝制�,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合用于電源管理、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�
該芯片的封裝形式� TO-263(D2PAK�,便于表面貼�,并且具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�-59A
導通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷�78nC
總電容:1350pF
工作溫度范圍�-55� � 150�
封裝形式:TO-263
NTGS3441T1H 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 快速的開關(guān)性能,能夠滿足高頻應用的需��
3. 高度�(wěn)定的電氣特�,在各種工作條件下表�(xiàn)�(yōu)異�
4. 強大的電流承載能�,確保在高負載情況下�(wěn)定運��
5. 寬泛的工作溫度范�,適應多種惡劣環(huán)境下的應用需��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
NTGS3441T1H 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. 工業(yè)�(shè)備及消費電子�(chǎn)品的負載開關(guān)�
3. 電動工具和家用電器的電機�(qū)��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和控��
5. 大功� LED 照明�(qū)動電路�
6. 電池保護和能量管理系�(tǒng)中的�(guān)鍵組��
NTGS3440T1G