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NTGS3441T1H 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 9:46:03 查看 閱讀�20

NTGS3441T1H 是一� N 沃半導體(ON Semiconductor)生�(chǎn)的高性能 P 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的工藝制�,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合用于電源管理、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�
  該芯片的封裝形式� TO-263(D2PAK�,便于表面貼�,并且具備良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�-59A
  導通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷�78nC
  總電容:1350pF
  工作溫度范圍�-55� � 150�
  封裝形式:TO-263

特�

NTGS3441T1H 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速的開關(guān)性能,能夠滿足高頻應用的需��
  3. 高度�(wěn)定的電氣特�,在各種工作條件下表�(xiàn)�(yōu)異�
  4. 強大的電流承載能�,確保在高負載情況下�(wěn)定運��
  5. 寬泛的工作溫度范�,適應多種惡劣環(huán)境下的應用需��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�

應用

NTGS3441T1H 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. 工業(yè)�(shè)備及消費電子�(chǎn)品的負載開關(guān)�
  3. 電動工具和家用電器的電機�(qū)��
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和控��
  5. 大功� LED 照明�(qū)動電路�
  6. 電池保護和能量管理系�(tǒng)中的�(guān)鍵組��

替代型號

NTGS3440T1G

ntgs3441t1h推薦供應� 更多>

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