時間：2025/6/9 18:41:20
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NTGS3441T1G 是一款 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），由 ON Semiconductor 公司生產。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻、快速開關速度和高效率等特性，適用于各種功率轉換應用。其封裝形式為 TO-263 (D2PAK)，適合表面貼裝技術（SMT），并提供出色的散熱性能。
該器件廣泛用于 DC-DC 轉換器、電機驅動、負載開關和其他需要高效功率管理的場景。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：45A
導通電阻：1.7mΩ
柵極電荷：45nC
輸入電容：2900pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
NTGS3441T1G 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)）在典型條件下僅為 1.7mΩ，能夠顯著降低傳導損耗。
2. 快速開關能力，支持高頻應用，減少開關損耗。
3. 高額定電流（高達 45A），適用于大功率系統(tǒng)。
4. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且無鉛設計。
5. 提供卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在極端溫度范圍內運行。
6. 表面貼裝封裝（TO-263），易于集成到現代電路板設計中。
NTGS3441T1G 適用于以下應用場景：
1. 工業(yè)設備中的 DC-DC 轉換器。
2. 汽車電子系統(tǒng)，例如電動助力轉向（EPS）、制動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)。
3. 通信電源模塊，如服務器電源和基站電源。
4. 大功率電機驅動，例如家用電器和工業(yè)自動化。
5. 開關模式電源（SMPS）和負載開關。
6. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器和功率調節(jié)單元。
NTGS3438T1G
IRFP2907ZPBF
FDP17N50C
STP10NK60Z
