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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTD60N02R-1G

NTD60N02R-1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/10/31 9:57:55 查看 閱讀�146

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:ONSemiconductor
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)
RoHS:是
配置:Single
晶體管極性:N-Channel
電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.0084Ohms
正向跨導(dǎo)gFS(最大�/最小值)�27S
汲極/源極擊穿電壓�25V
�/源擊穿電壓:+/-20V
漏極連續(xù)電流�62A
功率耗散�1.87W
最大工作溫度:+175

安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:DPAK
封裝:Tube
最小工作溫度:-55

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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ntd60n02r-1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1330pF @ 20V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引�,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�I-Pak
  • 包裝管件