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NTD5865NLT4G&-15 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:15:42 查看 閱讀�6

NTD5865NLT4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用先進的制程工藝制�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應用�
  其封裝形式為 LFPAK88(Power SO-8�,能夠提供卓越的散熱性能和緊湊的設計方案,適合空間受限的應用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�121A
  導通電阻:0.75mΩ
  柵極電荷�49nC
  總電容:375pF
  工作結溫范圍�-55� � 175�

特�

NTD5865NLT4G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高效率�
  2. 高額定電流能�,使其非常適合大電流負載的應��
  3. 快速開關性能,可以有效減少開關損耗�
  4. 小型化封裝設�,便于在緊湊型電路板上布局�
  5. 支持寬廣的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下的可靠運��
  6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要��

應用

這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關�
  3. 電機控制與驅(qū)��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS��
  5. 工業(yè)自動化設備中的負載切換�
  6. 通信及消費類電子�(chǎn)品中的高效功率管理解決方��

替代型號

NTMFS4C66N, IRL3803PBF, AO3402A

ntd5865nlt4g&-15推薦供應� 更多>

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