NTD5865NLT4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用先進的制程工藝制�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應用�
其封裝形式為 LFPAK88(Power SO-8�,能夠提供卓越的散熱性能和緊湊的設計方案,適合空間受限的應用場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�121A
導通電阻:0.75mΩ
柵極電荷�49nC
總電容:375pF
工作結溫范圍�-55� � 175�
NTD5865NLT4G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 高額定電流能�,使其非常適合大電流負載的應��
3. 快速開關性能,可以有效減少開關損耗�
4. 小型化封裝設�,便于在緊湊型電路板上布局�
5. 支持寬廣的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下的可靠運��
6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要��
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關�
3. 電機控制與驅(qū)��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS��
5. 工業(yè)自動化設備中的負載切換�
6. 通信及消費類電子�(chǎn)品中的高效功率管理解決方��
NTMFS4C66N, IRL3803PBF, AO3402A