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CGA9M4X7T2W684K200KA 是一款高性能的存儲(chǔ)芯片，屬于 NAND Flash 存儲(chǔ)器系列。該型號(hào)通常用于需要大容量、高可靠性和快速讀寫速度的應(yīng)用場景中，例如固態(tài)硬盤（SSD）、嵌入式系統(tǒng)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
這款芯片采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具備低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。其封裝形式為標(biāo)準(zhǔn) BGA 封裝，適合大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)環(huán)境。
容量：512GB
接口類型：NVMe
工作電壓：1.8V
數(shù)據(jù)傳輸速率：3500 MB/s (讀取)
數(shù)據(jù)傳輸速率：3000 MB/s (寫入)
擦寫壽命：3000 次
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
封裝形式：BGA
引腳數(shù)：169
CGA9M4X7T2W684K200KA 的主要特性包括：
1. 高密度存儲(chǔ)：通過多層單元（MLC）或三層單元（TLC）技術(shù)實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)。
2. 快速性能：支持 NVMe 協(xié)議，提供卓越的讀寫速度，適用于高速數(shù)據(jù)處理任務(wù)。
3. 低功耗設(shè)計(jì)：優(yōu)化的電路結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的制造工藝降低了芯片的功耗，延長了電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
4. 高可靠性：內(nèi)置錯(cuò)誤糾正碼（ECC）功能，確保數(shù)據(jù)的完整性和準(zhǔn)確性。
5. 耐用性：經(jīng)過嚴(yán)格測試，具備較高的擦寫壽命和數(shù)據(jù)保持能力，適應(yīng)多種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用需求。
CGA9M4X7T2W684K200KA 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 固態(tài)硬盤（SSD）：作為主存儲(chǔ)介質(zhì)，提供大容量和高性能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2. 嵌入式系統(tǒng)：在工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中使用，滿足對(duì)可靠性和速度的要求。
3. 移動(dòng)設(shè)備：如平板電腦和智能手機(jī)，支持多媒體文件的快速存取。
4. 數(shù)據(jù)中心：用于服務(wù)器和存儲(chǔ)陣列中，提供高效的存儲(chǔ)解決方案。
CGA9M4X7T2W684K100KA
CGA9M4X7T2W684K300KA
