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NTD12N10G 發(fā)布時間 時間�2025/5/31 1:29:20 查看 閱讀�13

NTD12N10G是一種N溝道增強型MOSFET晶體管,專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和極快的開�(guān)速度,適用于多種功率�(zhuǎn)換場�。其封裝形式通常為TO-252(DPAK�,能夠滿足緊湊型�(shè)計需求�
  NTD12N10G在消費電�、工�(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用,特別是在電源管理電路中表�(xiàn)�(yōu)�。通過�(yōu)化的芯片�(shè)�,該器件能夠在高頻率下保持高效性能,同時提供可靠的電氣保護特��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:0.075Ω
  柵極電荷�34nC
  總電容:260pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-252

特�

NTD12N10G具備以下顯著特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 高雪崩擊穿能�,增強了器件的可靠性與耐用��
  4. 小型化封�,節(jié)省PCB空間�
  5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種極端條件下的使用要求�
  6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保無鉛設(shè)��

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  3. 電機�(qū)動與負載切換�
  4. 消費類電子產(chǎn)品如筆記本適配器、LED照明�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
  6. 通信�(shè)備中的信號調(diào)節(jié)電路�
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理單元�

替代型號

IRFZ44N
  STP12NK50Z
  FDP12N10L

ntd12n10g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntd12n10g參數(shù)

  • 標準包裝75
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫歐 @ 6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds550pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.28W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱NTD12N10G-NDNTD12N10GOS