NTD12N10G是一種N溝道增強型MOSFET晶體管,專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和極快的開�(guān)速度,適用于多種功率�(zhuǎn)換場�。其封裝形式通常為TO-252(DPAK�,能夠滿足緊湊型�(shè)計需求�
NTD12N10G在消費電�、工�(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用,特別是在電源管理電路中表�(xiàn)�(yōu)�。通過�(yōu)化的芯片�(shè)�,該器件能夠在高頻率下保持高效性能,同時提供可靠的電氣保護特��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.075Ω
柵極電荷�34nC
總電容:260pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-252
NTD12N10G具備以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩擊穿能�,增強了器件的可靠性與耐用��
4. 小型化封�,節(jié)省PCB空間�
5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種極端條件下的使用要求�
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保無鉛設(shè)��
該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 電機�(qū)動與負載切換�
4. 消費類電子產(chǎn)品如筆記本適配器、LED照明�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
6. 通信�(shè)備中的信號調(diào)節(jié)電路�
7. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理單元�
IRFZ44N
STP12NK50Z
FDP12N10L