2N7002ET1G 是一� N 沱道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它被廣泛用于模擬和�(shù)字電路中,作為開(kāi)�(guān)或放大器�。這款 MOSFET 具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和良好的溫度�(wěn)定性等特性,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)��
該器件的工作電壓范圍寬,能夠承受較高的漏源電�,同�(shí)具備較小的封裝尺寸,便于在緊湊型�(shè)�(jì)中使�。由于其出色的性能和可靠性,2N7002ET1G 成為許多工程師在�(shè)�(jì)低壓、小信號(hào)�(yīng)用場(chǎng)景時(shí)的首選元器件�
�(lèi)型:N 沱道增強(qiáng)� MOSFET
漏源電壓 (VDS)�60 V
柵源電壓 (VGS):�20 V
漏極電流 (ID)�300 mA
輸入電容 (Ciss)�45 pF
輸出電容 (Coss)�10 pF
反向傳輸電容 (Crss)�1.8 pF
�(dǎo)通電� (Rds(on))�2.9 Ω
功� (Ptot)�400 mW
2N7002ET1G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 低導(dǎo)通電阻,確保在導(dǎo)通狀�(tài)下具有較低的功率損��
2. 高開(kāi)�(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)��
3. 小型封裝,適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)境�
4. 較高的漏源擊穿電�,增�(qiáng)了器件在高壓�(huán)境中的適�(yīng)能力�
5. 工作溫度范圍寬廣 (-55°C � +150°C),能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
6. 良好的靜電防�(hù)能力,降低了� ESD �(dǎo)致的失效�(fēng)�(xiǎn)�
這些特點(diǎn)� 2N7002ET1G 在各種電子設(shè)備中表現(xiàn)出色,特別是在需要高效能與可靠性的�(chǎng)景下�
2N7002ET1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�(kāi)�(guān)�
2. 電池保護(hù)電路,用于防止過(guò)充或�(guò)��
3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)控制�
4. 信號(hào)切換和緩沖電�,例如音頻信�(hào)處理�
5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的線(xiàn)路驅(qū)�(dòng)和接收�
6. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
由于其多功能性和高性能�2N7002ET1G 可以�(mǎn)足從�(jiǎn)單到�(fù)雜的不同�(yīng)用需��
2N7002KM, BSS138, PMV40EN