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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTB85N03G

NTB85N03G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 14:12:20 查看 閱讀�15

NTB85N03G 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。NTB85N03G 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高可靠性的電路�,例如開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)��
  NTB85N03G 的額定電壓為 30V,能夠承受較高的漏源極電�,同�(shí)其最大連續(xù)漏極電流可達(dá)到幾十安�,具體取決于工作條件和散熱設(shè)�(jì)。此外,它還具備較低的柵極電�,有助于減少�(kāi)�(guān)損�,提高整體效��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏極電流�126A
  最大脈沖漏極電流:350A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�45nC
  輸入電容�3790pF
  總電容:2500pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-55� � +175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗和提升效率�
  2. 高電流承載能力,適用于大功率�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,有效減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型封裝選項(xiàng),節(jié)� PCB 空間�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  5. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�

替代型號(hào)

NTBG8N03L
  IRLB8748PBF
  FDP057AN
  AO3400

ntb85n03g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntb85n03g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)28V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C85A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫歐 @ 40A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2150pF @ 24V
  • 功率 - 最�80W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝管件