時間�2025/5/28 16:02:29
閱讀�20
BP8261H是一款高性能的N溝道增強型MOSFET功率晶體�，廣泛應用于開關電源、電機驅�、負載切換以及其他需要高效功率控制的應用場景。該器件采用了先進的制造工�，能夠在高頻工作條件下保持低導通電阻和高效�，同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性�
BP8261H的設計目標是滿足現代電子設備對節(jié)能和小型化的需�，其封裝形式通常為TO-220或SMD類型，具體取決于制造商版本。此�，該器件具有快速開關速度和低柵極電荷的特�，非常適合要求高效能和低損耗的應用�(huán)��
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流�16A
導通電阻（典型值）�5.5mΩ
總柵極電荷：43nC
開關時間：ton=9ns, toff=25ns
工作結溫范圍�-55℃至175�
BP8261H的核心特性包括以下幾點：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)�，能夠有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開關性能，適合高頻應�，可顯著降低開關損耗�
3. 高度可靠的熱�(wěn)定性設�，確保在極端溫度條件下的正常運行�
4. 具備�(yōu)秀的雪崩能力和抗靜電能力，增強了器件的耐用��
5. 小尺寸封裝選項支持緊湊型設計需求�
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且適合全球市場使用�
BP8261H適用于多種電力電子領�，主要包括：
1. 開關模式電源（SMPS）中的同步整流器�
2. DC-DC轉換器中的功率開關元��
3. 電動工具和家用電器中的電機驅動電��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電路�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
6. 通信設備中的電源管理單元�
該器件憑借其卓越的性能和可靠�，成為許多高效能應用的理想選擇�
IRF840,
STP16NF06,
FDP18N06,
IXFK16N06P
