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NTB75N03L09T4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 4:39:33 查看 閱讀：10

NTB75N03L09T4G 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，適用于多種功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能，廣泛用于工業(yè)、消費(fèi)電子和汽車領(lǐng)域。

參數(shù)

型號(hào)：NTB75N03L09T4G
　　類型：N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
　　漏源極擊穿電壓（Vds）：30 V
　　連續(xù)漏極電流（Id）：75 A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.6 mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　柵極電荷（Qg）：27 nC（典型值）
　　輸入電容（Ciss）：4800 pF（典型值）
　　總功耗：250 W
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

NTB75N03L09T4G 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高額定電流能力（75A），適合大功率應(yīng)用。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)特性，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在極端溫度條件下運(yùn)行。
　　5. 小型封裝設(shè)計(jì)，有助于節(jié)省 PCB 空間。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
　　這些特性使 NTB75N03L09T4G 成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇，尤其是在需要高效率和高可靠性的場(chǎng)合。

應(yīng)用

NTB75N03L09T4G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流。
　　2. 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)。
　　5. 汽車電子系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和啟動(dòng)電機(jī)控制。
　　6. 各類負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　由于其出色的電氣特性和耐用性，這款 MOSFET 特別適合對(duì)效率和可靠性要求較高的場(chǎng)景。

替代型號(hào)

NTB75N03L07T4G, IRF7727, FDP077N03L

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ntb75n03l09t4g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C8 毫歐 @ 37.5A，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs75nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5635pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTB75N03L09T4GOS