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FGL60N100BNTD 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 15:28:00 查看 閱讀�21

FGL60N100BNTD 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 沁高� MOSFET。該器件采用 TO-247 封裝形式,適用于高電�、高功率的應(yīng)用場�,例如開�(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等。它具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特點,能夠在高頻條件下保持高效性能�
  這款 MOSFET 的設(shè)計注重提高效率和減少損耗,同時提供良好的熱性能和電氣穩(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:1000V
  連續(xù)漏極電流�60A
  �(dǎo)通電阻:0.95Ω
  柵極電荷�160nC
  輸入電容�3300pF
  反向恢復(fù)時間�85ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

1. 高耐壓能力:最大漏源電壓達 1000V,適用于高電壓應(yīng)用場��
  2. 大電流承載能力:可支持高� 60A 的連續(xù)漏極電流,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運��
  3. 快速開�(guān)特性:低柵極電荷和短反向恢�(fù)時間使其適合高頻開關(guān)�(yīng)��
  4. 低導(dǎo)通電阻:�(dǎo)通電阻僅� 0.95Ω,在大電流應(yīng)用中降低功��
  5. �(wěn)定性:工作溫度范圍廣,� -55� � +150�,適�(yīng)各種�(huán)境條��
  6. 高效散熱:TO-247 封裝提供了良好的熱性能,便于熱量散�(fā)�
  7. 可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的測試,具備高可靠性和長壽��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機�(qū)�
  3. 逆變�
  4. UPS 不間斷電�
  5. 太陽能逆變�
  6. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
  7. 電動車輛的電力系�(tǒng)
  8. 高壓工業(yè)�(shè)備控�

替代型號

FGH60N100BNTD
  IRFP260N
  STGW60HC10MD
  FDP18N100
  IXYS IXTH60N100T2

fgl60n100bntd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fgl60n100bntd資料 更多>

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fgl60n100bntd參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝25
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT 和溝�
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1000V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.9V @ 15V�60A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最�180W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-264-3,TO-264AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-264
  • 包裝管件
  • 其它名稱FGL60N100BNTD-NDFGL60N100BNTDFS