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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NSR01F30NXT5G

NSR01F30NXT5G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:30:08 查看 閱讀�30

NSR01F30NXT5G 是一款由ONSEMI(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用Trench技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電源管理�(yīng)�。其封裝形式為SOT-263(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能�
  這款MOSFET的工作電壓范圍高�(dá)30V,非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池保護(hù)電路等場(chǎng)景。由于其�(yōu)化的�(dòng)�(tài)和靜�(tài)性能,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效能表�(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.9A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�7.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�12nC
  輸入電容(典型值)�110pF
  總功耗:1.3W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

NSR01F30NXT5G具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,確保在高溫�(huán)境中的長(zhǎng)期運(yùn)��
  6. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間的同�(shí)保持良好的散熱性能�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. �(fù)載開�(guān)
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  5. 工業(yè)控制和自�(dòng)化系�(tǒng)
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
  7. 通信�(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)與功率處�

替代型號(hào)

NTMFS4836N
  FDP5500
  IRLML6402

nsr01f30nxt5g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nsr01f30nxt5g資料 更多>

  • 型號(hào)
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  • 品牌
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nsr01f30nxt5g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)30V
  • 電流 - 平均整流 (Io)100mA(DC�
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)500mV @ 100mA
  • 速度小信�(hào) =
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)-
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電50µA @ 30V
  • 電容@ Vr, F7pF @ 5V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼2-XFDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�2-DSN�0.60x0.30�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSR01F30NXT5G-NDNSR01F30NXT5GOSTR