NSR01F30NXT5G 是一款由ONSEMI(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用Trench技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電源管理�(yīng)�。其封裝形式為SOT-263(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能�
這款MOSFET的工作電壓范圍高�(dá)30V,非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池保護(hù)電路等場(chǎng)景。由于其�(yōu)化的�(dòng)�(tài)和靜�(tài)性能,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效能表�(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�7.5mΩ
柵極電荷(典型值)�12nC
輸入電容(典型值)�110pF
總功耗:1.3W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
NSR01F30NXT5G具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,確保在高溫�(huán)境中的長(zhǎng)期運(yùn)��
6. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間的同�(shí)保持良好的散熱性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. �(fù)載開�(guān)
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
5. 工業(yè)控制和自�(dòng)化系�(tǒng)
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
7. 通信�(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)與功率處�
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FDP5500
IRLML6402