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LBC847CLT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:52:56 查看 閱讀�20

LBC847CLT1G 是一款基于硅� (SiGe) 工藝的高性能射頻功率晶體�,廣泛應(yīng)用于無線通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)�(jì)。該晶體管具有高增益、高線性度和優(yōu)異的效率特�,適用于 GSM、CDMA � WCDMA 等多種通信�(biāo)�(zhǔn)下的基站�(shè)��
  其封裝形式為氣密封裝,能夠有效提高可靠�,并且具備出色的熱性能表現(xiàn),確保在高頻和高功率�(yīng)用場景下�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大頻率:3.8 GHz
  飽和輸出功率�45 dBm
  增益�16 dB
  電源電壓�28 V
  靜態(tài)電流�0.3 A
  封裝形式:LT1G
  工作溫度范圍�-55� � +125�

特�

LBC847CLT1G 具備卓越的射頻性能,在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。它支持高達(dá) 3.8 GHz 的頻率范�,滿足現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)的嚴(yán)格要�。同�(shí),其高線性度和低互調(diào)失真特性使得該晶體管非常適合多載波功率放大� (MCPA) �(yīng)��
  此外,LBC847CLT1G 的高效散熱設(shè)�(jì)有助于降低熱阻,從而提升長期工作的可靠�。氣密性封裝�(jìn)一步增�(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的耐用��
  對于需要高功率密度的應(yīng)用場�,這款晶體管也表現(xiàn)出色,能夠以較小尺寸�(shí)�(xiàn)大功率輸�,簡化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并節(jié)省空��

�(yīng)�

LBC847CLT1G 主要�(yīng)用于無線基礎(chǔ)�(shè)施領(lǐng)域,包括但不限于�
  - 基站功率放大�
  - 射頻拉遠(yuǎn)單元 (RRU)
  - 微波回傳系統(tǒng)
  - 固定無線接入 (FWA) �(shè)�
  - 軍事及航空航天領(lǐng)域的高可靠性射頻設(shè)�
  由于其寬廣的工作頻率范圍和高功率能力,該晶體管也可以用于測試與測量設(shè)備以及工�(yè)科學(xué)�(yī)� (ISM) �(lǐng)域的射頻能量�(yīng)��

替代型號(hào)

LBC846CLT1G
  MOSFET系列的BLF847C
  LDMOS工藝的RFC847

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