NSI45020AT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半導體)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用Trench技術制造,具有低導通電阻和高開關速度的特性,廣泛應用于電源管�、電機驅�、DC-DC轉換器以及負載開關等場景��
這款MOSFET的最大漏源電壓為45V,連續(xù)漏極電流可達20A,且具備�(yōu)異的熱性能和電氣性能。其小型化的封裝設計使得它非常適合于空間受限的應用環(huán)��
最大漏源電�(Vds)�45V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�20A
導通電�(Rds(on))�2.8mΩ (在Vgs=10V�)
柵極電荷(Qg)�23nC
總電�(Ciss)�2760pF
功�(PD)�12W (TA=25℃時)
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 極低的導通電阻Rds(on),可顯著降低功率損��
2. 快速開關性能,適用于高頻應用�
3. 高雪崩能量能�,提高系�(tǒng)可靠性�
4. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
5. 小型化封裝DFN5x6,適合緊湊型設計�
6. 熱穩(wěn)定性強,能夠承受極端的工作溫度范圍�
7. �(nèi)置ESD保護,提升抗靜電能力�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC轉換器的核心功率開關元件�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開關�
4. 消費類電子產(chǎn)品的電機驅動控制�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率級管理�
6. 電信及網(wǎng)絡設備的高效功率分配�
7. 汽車電子中的各種負載切換與保護功��
IRLR7846PbF, AO3400A, FDP5802