FN18N4R7C500PSG 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的貼片封裝,適合表面貼裝技術(shù)(SMT)裝配流程。
該型號(hào)的主要特點(diǎn)是針對(duì)中高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,能夠提供更高的電流承載能力和更低的功耗,同時(shí)保持較高的開(kāi)關(guān)速度。FN18N4R7C500PSG 的設(shè)計(jì)使其在多種電子設(shè)備中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,例如適配器、充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 LED 驅(qū)動(dòng)器等。
漏源極擊穿電壓:70V
連續(xù)漏極電流:26A
導(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷:65nC
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá) 1MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
FN18N4R7C500PSG 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻操作,適用于高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
3. 優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),可降低驅(qū)動(dòng)功耗。
4. 強(qiáng)大的雪崩能力和魯棒性,提高了器件在異常條件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。
6. 良好的熱性能,允許更高的功率密度和更小的散熱設(shè)計(jì)要求。
這些特性使得 FN18N4R7C500PSG 成為高性能功率管理應(yīng)用的理想選擇。
FN18N4R7C500PSG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
4. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 充電器和適配器中的功率管理模塊。
6. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)電路。
由于其強(qiáng)大的性能和靈活性,這款 MOSFET 在消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)自動(dòng)化和汽車電子等多個(gè)行業(yè)中都得到了廣泛應(yīng)用。
IRFZ44N
FDP18N06L
STP16NF06L