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NSD914F3T5G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 18:19:55 查看 閱讀�23

NSD914F3T5G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的場景。該器件采用 Trench 技�(shù)制�,具有較低的�(dǎo)通電� Rds(on) 和快速開�(guān)特性,適用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域的電源管理及負(fù)載切換�
  NSD914F3T5G 采用 TO-263 (DPAK) 封裝形式,具備出色的散熱性能,可有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗�

參數(shù)

最大漏源電� Vds�60V
  最大柵源電� Vgs:�20V
  最大連續(xù)漏極電流 Id�8A
  �(dǎo)通電� Rds(on)�3.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
  總功� Ptot�27W
  工作溫度范圍 Tj�-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-263 (DPAK)

特�

NSD914F3T5G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用需�,同�(shí)保持較低的開�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)�(jì)要求�
  6. 封裝�(jié)�(gòu)緊湊,便于表面貼裝工藝使用�

�(yīng)�

NSD914F3T5G 的典型應(yīng)用場景包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. LED �(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)和調(diào)光控��
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的逆變橋臂開關(guān)�
  6. 各種便攜式設(shè)備的功率管理模塊�

替代型號(hào)

NSI914F3T5G, IRF7777, FDP020N06L

nsd914f3t5g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nsd914f3t5g�(chǎn)�

nsd914f3t5g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝8,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類��(biāo)�(zhǔn)
  • 電壓 - (Vr)(最大)100V
  • 電流 - 平均整流 (Io)200mA(DC�
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)1V @ 10mA
  • 速度小信�(hào) =
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)4ns
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電5µA @ 75V
  • 電容@ Vr, F4pF @ 0V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-1123
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-1123
  • 包裝帶卷 (TR)