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NRVTS5100ETFSTAG 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 17:49:47 查看 閱讀�30

NRVTS5100ETFSTAG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的增強型場效應晶體� (eGaN FET),由 Navitas Semiconductor 公司設計制�。這款芯片采用了先進的 GaN 功率技術,旨在提供更高的效�、更快的開關速度和更小的尺寸,適用于高頻電源轉換應用�
  該器件具有垂直結構和低寄生電感的特點,使其在硬開關和軟開關應用中表現出色,同時能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能�

參數

型號:NRVTS5100ETFSTAG
  類型:增強型 GaN 場效應晶體管 (eGaN FET)
  導通電� (Rds(on))�7.5 mΩ (典型值,25°C)
  擊穿電壓 (BVDSS)�600 V
  柵極閾值電� (Vgs(th))�1.8 V � 3.6 V
  連續(xù)漏極電流 (Id)�54 A (典型�)
  封裝形式:TOLL (TO-247-3L)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  輸入電容 (Ciss)�1290 pF (典型�)
  輸出電容 (Coss)�27 pF (典型�)
  反向傳輸電容 (Crss)�11 pF (典型�)
  開關頻率能力:超� 2 MHz

特�

NRVTS5100ETFSTAG 的主要特點是其卓越的性能和高效率,以下是具體特性:
  1. 高擊穿電壓:高達 600V 的耐壓能力,確保在高壓�(huán)境下的可靠運��
  2. 極低導通電阻:� 7.5mΩ � Rds(on),大幅降低導通損��
  3. 快速開關速度:由于較低的寄生電容,支� MHz 級別的開關頻��
  4. 小尺寸封裝:TOLL 封裝不僅散熱性能�(yōu)�,還減少� PCB 占用空間�
  5. 高溫適應性:能夠� -55°C � +150°C 的寬溫度范圍內穩(wěn)定工��
  6. 超低 Qg � Eoss:減少開關損�,進一步提升整體效率�
  7. 內置保護功能:具備過流保護和靜電放電 (ESD) 防護特��

應用

NRVTS5100ETFSTAG 廣泛應用于對效率和小型化要求較高的場�,包括但不限于以下領域:
  1. 電源適配器和充電器:用于快充解決方案,支� USB-PD 標準�
  2. 開關電源 (SMPS):例� AC-DC � DC-DC 轉換��
  3. 無線充電設備:為更高效率的無線能量傳輸提供支��
  4. 電機驅動:用于高效逆變器和驅動電路�
  5. 工業(yè)電源:如服務器電�、通信電源和太陽能微逆變器�
  6. 汽車電子:車載充電器� DC-DC 轉換器中的關鍵元��

替代型號

NV6115, NRV06GNTKGA

nrvts5100etfstag推薦供應� 更多>

  • 產品型號
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nrvts5100etfstag參數

  • 現有數量0現貨
  • 價格1,500 : �1.86807卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 技�肖特�
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)5A
  • 不同 If 時電� - 正向 (Vf)1 V @ 5 A
  • 速度快速恢� =< 500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復時間 (trr)-
  • 不同 Vr 時電� - 反向泄漏50 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 時電�26.5pF @ 100V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN
  • 供應商器件封�8-WDFN�3.3x3.3�
  • 工作溫度 - �-65°C ~ 175°C