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BSZ180P03NS3 G 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 17:35:11 查看 閱讀:8

BSZ180P03NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體器件,具體為 N 沆道整流器(Schottky Rectifier)。該器件采用了 TO-252 (DPAK) 封裝形式,具有高效率、低正向壓降和快速恢復(fù)時間的特點。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動電路等電力電子系統(tǒng)。
  這種整流器利用肖特基二極管技術(shù),相比傳統(tǒng)的 PN 結(jié)二極管,在正向?qū)〞r具有更低的電壓降,從而減少功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。

參數(shù)

額定電壓:30V
  額定電流:18A
  正向壓降(典型值):0.42V
  反向漏電流(最大值):1mA
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  熱阻(結(jié)到殼):20℃/W

特性

BSZ180P03NS3 G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 超低正向壓降:該整流器在導(dǎo)通狀態(tài)下的正向壓降非常小,僅為 0.42V(典型值),這使得它非常適合用于高效能電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
  2. 高溫性能:該器件能夠在高達(dá) 175℃ 的結(jié)溫下可靠運行,適應(yīng)高溫環(huán)境的應(yīng)用需求。
  3. 快速恢復(fù)時間:由于采用肖特基技術(shù),其恢復(fù)時間非常短,幾乎可以忽略不計,因此適合高頻應(yīng)用。
  4. 低反向漏電流:即使在高溫條件下,器件的反向漏電流仍然保持在一個較低水平,確保了良好的電氣性能。
  5. 緊湊型封裝:TO-252 (DPAK) 封裝不僅節(jié)省空間,還提供了良好的散熱性能。

應(yīng)用

BSZ180P03NS3 G 主要應(yīng)用于各種需要高效整流的電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的輸出整流。
  2. 電機驅(qū)動:在無刷直流電機 (BLDC) 驅(qū)動電路中作為續(xù)流二極管使用。
  3. 光伏逆變器:用于光伏電池板的最大功率點跟蹤 (MPPT) 控制器中。
  4. 通信電源:在電信設(shè)備中作為高效的整流元件。
  5. 工業(yè)自動化:在工業(yè)控制設(shè)備中提供穩(wěn)定且高效的電能轉(zhuǎn)換功能。

替代型號

BSS180P03NS3 G
  SBG18030C
  SRU1803

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  • 產(chǎn)品型號
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bsz180p03ns3 g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSZ180P03NS3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C39.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 48µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2220pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝-
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000709744