NRVB130T1G是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件主要�(yīng)用于高電壓和大電流的�(kāi)�(guān)�(chǎng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
這款MOSFET適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)�,例如電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以及逆變器等�(yīng)用領(lǐng)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�1.9A
�(dǎo)通電阻:2.7Ω
柵極電荷�18nC
總電容:145pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�
NRVB130T1G具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓,支持高達(dá)650V的工作電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 較低的導(dǎo)通電阻(2.7Ω),有助于減少導(dǎo)通損耗并提升整體能效�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,由�,可�(shí)�(xiàn)高效�(kāi)�(guān)操作�
4. 良好的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然保持可靠的性能�
5. 小封裝尺�,便于集成到緊湊型電路設(shè)�(jì)中�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)�(cè)�(kāi)�(guān)�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制與驅(qū)�(dòng)�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用�
5. LED照明系統(tǒng)的調(diào)光和�(diào)壓控��
IRF840,
STP12NM65,
FDP18N65,
IXTN12N650