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NRVB130T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:42:58 查看 閱讀�18

NRVB130T1G是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件主要�(yīng)用于高電壓和大電流的�(kāi)�(guān)�(chǎng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款MOSFET適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)�,例如電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以及逆變器等�(yīng)用領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�1.9A
  �(dǎo)通電阻:2.7Ω
  柵極電荷�18nC
  總電容:145pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�

特�

NRVB130T1G具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 高擊穿電壓,支持高達(dá)650V的工作電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 較低的導(dǎo)通電阻(2.7Ω),有助于減少導(dǎo)通損耗并提升整體能效�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,由�,可�(shí)�(xiàn)高效�(kāi)�(guān)操作�
  4. 良好的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然保持可靠的性能�
  5. 小封裝尺�,便于集成到緊湊型電路設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)�(cè)�(kāi)�(guān)�
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制與驅(qū)�(dòng)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用�
  5. LED照明系統(tǒng)的調(diào)光和�(diào)壓控��

替代型號(hào)

IRF840,
  STP12NM65,
  FDP18N65,
  IXTN12N650

nrvb130t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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  • 型號(hào)
  • 描述
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nrvb130t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)30V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)450mV @ 700mA
  • 速度快速恢�(fù) = 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)-
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電60µA @ 30V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOD-123
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOD-123
  • 包裝帶卷 (TR)