FGH40T120SQDNL4是一款基于IGBT技�(shù)的功率半�(dǎo)體器�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)計。該芯片采用先�(jìn)的溝槽場截止(Trench Field Stop)技�(shù),具有低�(dǎo)通損耗和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)。其額定電壓�1200V,額定電流為40A,適合應(yīng)用于工業(yè)電源、太陽能逆變器、電�(jī)�(qū)動以及不間斷電源(UPS)等高效率功率�(zhuǎn)換場��
這款I(lǐng)GBT芯片在設(shè)計上注重降低開關(guān)損耗和提升系統(tǒng)可靠�,同時具備短路保�(hù)能力,能夠在極端條件下維持穩(wěn)定運(yùn)�。此�,它采用了無鉛封裝工�,符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),適用于對環(huán)保要求較高的�(xiàn)代電子設(shè)��
額定電壓�1200V
額定電流�40A
集電�-�(fā)射極飽和壓降(Vce(sat))�1.8V(典型值,@Ic=25A,Tj=25°C�
柵極-�(fā)射極開啟閾值電�(Vge(th))�12V~16V
�(guān)斷時�(t(off))�90ns(典型值)
開通時�(t(on))�70ns(典型值)
最大工作結(jié)溫:175°C
存儲溫度范圍�-55°C�175°C
封裝形式:QDNL4
FGH40T120SQDNL4的主要特�(diǎn)是低開關(guān)損耗和�(yōu)秀的熱性能。通過�(yōu)化芯片結(jié)�(gòu),該IGBT�(shí)�(xiàn)了較低的集電�-�(fā)射極飽和壓降(Vce(sat)),從而減少導(dǎo)通損�。此�,它的快速開�(guān)速度能夠有效降低開關(guān)過程中的能量損失,提高整體系�(tǒng)的效率�
該芯片還具有良好的抗雪崩能力和短路耐受時間,能夠在突發(fā)情況下保�(hù)電路免受損害。同�,其高結(jié)溫能力使得器件能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的性能輸出,延長使用壽��
另外,F(xiàn)GH40T120SQDNL4采用無鉛�(huán)保封�,滿足國際環(huán)保法�(guī)要求,非常適合綠色能源相�(guān)�(yīng)��
FGH40T120SQDNL4廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)域,包括但不限于以下場景�
1. 工業(yè)電源:如開關(guān)電源(SMPS)、焊接設(shè)備等�
2. 新能源領(lǐng)域:如太陽能逆變�、風(fēng)能發(fā)電系�(tǒng)等;
3. 電機(jī)�(qū)動:用于變頻器控制交流電�(jī)的速度與扭��
4. 不間斷電�(UPS):提供可靠備用電源解決方��
5. 電動汽車(EV):參與車載充電器(OBC)和牽引逆變器的�(shè)��
這些�(yīng)用均受益于其低損耗特�、高可靠性和寬溫度范圍適�(yīng)��
FGH50T120SQDNL4
FGH30T120SQDNL4
IRGB40PCS120D
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