NR3015T2R2M是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能射頻功率晶體�,專為無(wú)線通信、雷�(dá)和衛(wèi)星應(yīng)用中的高頻信�(hào)放大�(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的GaN-on-SiC工藝,具備高功率密度、高效率以及寬頻帶特�,能夠在苛刻的工作條件下提供�(wěn)定的性能�
NR3015T2R2M具有出色的線性度和增益表�(xiàn),適用于S波段至X波段的多種應(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)化,能夠有效降低寄生參數(shù)的影�,并支持高可靠性的系統(tǒng)集成�
工作頻率�2-18GHz
輸出功率�30W(典型值)
增益�12dB(典型值)
效率�45%(典型值)
最大漏極電流:2.5A
輸入匹配阻抗�50Ω
輸出匹配阻抗�50Ω
封裝形式:TO-270
工作溫度范圍�-40℃至+100�
NR3015T2R2M的核心優(yōu)�(shì)在于其采用的氮化鎵材料體�,使其在高頻和高功率�(yīng)用中表現(xiàn)出色。以下是一些主要特性:
1. 高輸出功率:該器件在2-18GHz的頻率范圍內(nèi)可實(shí)�(xiàn)高達(dá)30W的連續(xù)波輸出功�,非常適合要求高功率密度的應(yīng)用�
2. 寬帶操作能力:其寬帶�(shè)�(jì)允許在多�(gè)頻段�(nèi)工作,減少了�(duì)額外濾波器或匹配�(wǎng)�(luò)的需��
3. 低熱阻封裝:TO-270封裝�(jīng)�(guò)特殊�(shè)�(jì),確保了良好的散熱性能,從而提高了系統(tǒng)的整體可靠��
4. 線性度�(yōu)異:通過(guò)�(yōu)化的�(nèi)部電路結(jié)�(gòu),NR3015T2R2M在大信號(hào)條件下仍能保持較低的互調(diào)失真,滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)信號(hào)�(zhì)量的要求�
5. 高效率:得益于GaN材料的固有優(yōu)�(shì),該器件在高頻下仍然可以�(shí)�(xiàn)超過(guò)45%的功率附加效率(PAE��
NR3015T2R2M適用于多種高頻射頻功率放大場(chǎng)景,主要包括�
1. �(wú)線通信基站:用于提升基站發(fā)射機(jī)的覆蓋范圍和信號(hào)�(zhì)��
2. 軍事雷達(dá)系統(tǒng):支持相控陣?yán)走_(dá)和其他高性能雷達(dá)�(shè)備中的信�(hào)放大需��
3. �(wèi)星通信終端:為�(wèi)星地面站和移�(dòng)終端提供高效率的上行鏈路放大功能�
4. �(yī)療成像設(shè)備:如超聲波儀器和核磁共振�(shè)備中的射頻激�(lì)模塊�
5. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備:例如頻譜分析儀和信�(hào)�(fā)生器等需要精確控制射頻功率的�(chǎng)合�
NR3015T2R1M, NR3015T2R3M