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NJD2873T4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/11 9:59:48 查看 閱讀�670

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)� 

家庭:晶體管(BJT) - 單路

晶體管類型:NPN

電流 - 集電� (Ic)(最大)�2A

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�50V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�300mV @ 50mA, 1A

電流 - 集電極截止(最大)�-

在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)�120 @ 500mA, 2V

功率 - 最大:1.68W

頻率 - �(zhuǎn)換:65MHz

安裝類型:表面貼� 

封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak

其它名稱:NJD2873T4G-NDNJD2873T4GOSTR

資料

廠商
ON Semiconductor

njd2873t4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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njd2873t4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)2A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 50mA�1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)120 @ 500mA�2V
  • 功率 - 最�1.68W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�65MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NJD2873T4G-NDNJD2873T4GOSTR