SI4812BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET 芯片。該芯片主要�(yīng)用于需要高效能開關(guān)和低導通電阻的場景,例如電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等應(yīng)�。其采用小型化的 Trench 技�(shù)制�,具有出色的電氣性能和熱性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.4A
導通電阻(典型值)�12mΩ
柵極電荷�17nC
開關(guān)速度:快�
封裝類型:SOT-23
SI4812BDY-T1-E3 的特點是具備非常低的導通電�,從而減少了導通損耗并提高了系�(tǒng)效率。此�,它還擁有較小的柵極電荷,有助于實現(xiàn)快速開�(guān)操作,降低開�(guān)損耗。芯片的小型化封� SOT-23 使其非常適合空間受限的應(yīng)用場��
同時,這款 MOSFET 具備高雪崩擊穿能�,能夠在異常條件下提供額外的保護功能。在�(shè)計中使用 SI4812BDY-T1-E3 可以顯著提升系統(tǒng)的整體性能和可靠��
該芯片適用于多種�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于消費類電子�(chǎn)品的負載開關(guān)、通信�(shè)備中的電源管理模�、工�(yè)控制系統(tǒng)的電機驅(qū)動電路、便攜式�(shè)備中的電池管理單元等。此�,由于其高效能表�(xiàn),也廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)計中�
SI4826DY, SI4402DY