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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 12:35:50 查看 閱讀�10

SI4812BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET 芯片。該芯片主要�(yīng)用于需要高效能開關(guān)和低導通電阻的場景,例如電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等應(yīng)�。其采用小型化的 Trench 技�(shù)制�,具有出色的電氣性能和熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�5.4A
  導通電阻(典型值)�12mΩ
  柵極電荷�17nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝類型:SOT-23

特�

SI4812BDY-T1-E3 的特點是具備非常低的導通電�,從而減少了導通損耗并提高了系�(tǒng)效率。此�,它還擁有較小的柵極電荷,有助于實現(xiàn)快速開�(guān)操作,降低開�(guān)損耗。芯片的小型化封� SOT-23 使其非常適合空間受限的應(yīng)用場��
  同時,這款 MOSFET 具備高雪崩擊穿能�,能夠在異常條件下提供額外的保護功能。在�(shè)計中使用 SI4812BDY-T1-E3 可以顯著提升系統(tǒng)的整體性能和可靠��

�(yīng)�

該芯片適用于多種�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于消費類電子�(chǎn)品的負載開關(guān)、通信�(shè)備中的電源管理模�、工�(yè)控制系統(tǒng)的電機驅(qū)動電路、便攜式�(shè)備中的電池管理單元等。此�,由于其高效能表�(xiàn),也廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)計中�

替代型號

SI4826DY, SI4402DY

si4812bdy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4812bdy-t1-e3資料 更多>

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si4812bdy-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI4812BDY
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫歐 @ 9.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4812BDY-T1-E3TR