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NIS5135MN4TXG 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 17:31:22 查看 閱讀�6

NIS5135MN4TXG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)制造的 N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。這款器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換和�(fù)載切換應(yīng)��
  該器件封裝為 PQFN 封裝�4x4mm),引腳�(shù)量為 8 引腳,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)。其主要特點是能夠提供高效的功率傳輸和良好的熱性能,同時具備出色的可靠性和耐用��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�3.9A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型�,當(dāng) Vgs=10V 時)
  柵極電荷�7nC(典型值)
  開關(guān)時間:t_d(on)=6ns,t_d(off)=12ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝類型:PQFN (4x4mm)
  濕度敏感等級:MSL 3

特�

NIS5135MN4TXG 具有以下顯著特性:
  1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on))可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流器和多相控制器�
  3. 提供了堅固的 ESD 和雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件在惡劣�(huán)境中的可靠��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保合�(guī)�
  5. 緊湊的封裝設(shè)計節(jié)省了 PCB 布局空間,簡化了散熱管理�
  6. 工作溫度范圍�,支持多種極端條件下的穩(wěn)定運行�

�(yīng)�

NIS5135MN4TXG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及 AC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 同步整流器電路中的高效整流元��
  3. 多相控制器中的功率級 MOSFET�
  4. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  5. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率控制元��
  6. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的輔助電源模塊�
  7. LED �(qū)動器和其他需要低功耗和高效率的�(yīng)用場��

替代型號

NTR4135N4T1G, FDP16N03L, IRF7413TRPBF

nis5135mn4txg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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