NIS5135MN4TXG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)制造的 N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。這款器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換和�(fù)載切換應(yīng)��
該器件封裝為 PQFN 封裝�4x4mm),引腳�(shù)量為 8 引腳,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)。其主要特點是能夠提供高效的功率傳輸和良好的熱性能,同時具備出色的可靠性和耐用��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�3.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型�,當(dāng) Vgs=10V 時)
柵極電荷�7nC(典型值)
開關(guān)時間:t_d(on)=6ns,t_d(off)=12ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝類型:PQFN (4x4mm)
濕度敏感等級:MSL 3
NIS5135MN4TXG 具有以下顯著特性:
1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on))可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流器和多相控制器�
3. 提供了堅固的 ESD 和雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件在惡劣�(huán)境中的可靠��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保合�(guī)�
5. 緊湊的封裝設(shè)計節(jié)省了 PCB 布局空間,簡化了散熱管理�
6. 工作溫度范圍�,支持多種極端條件下的穩(wěn)定運行�
NIS5135MN4TXG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及 AC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 同步整流器電路中的高效整流元��
3. 多相控制器中的功率級 MOSFET�
4. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
5. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率控制元��
6. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的輔助電源模塊�
7. LED �(qū)動器和其他需要低功耗和高效率的�(yīng)用場��
NTR4135N4T1G, FDP16N03L, IRF7413TRPBF