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IRF9953TR 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 18:43:05 查看 閱讀�26

IRF9953TR是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-263封裝形式,廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載切換等場景。其高擊穿電壓(Vds�、低�(dǎo)通電阻(Rds(on))以及出色的開關(guān)性能,使其成為高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
  IRF9953TR的主要特�(diǎn)是其在高頻工作條件下仍然能夠保持較低的開�(guān)損耗,并且具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�。此外,它還具有較低的柵極電�,有助于提高系統(tǒng)的效率和響應(yīng)速度�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):12mΩ
  柵極電荷�39nC
  總電容(Ciss):845pF
  開關(guān)時間(典型值):ton=27ns, toff=14ns
  功耗:256W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

IRF9953TR具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓(40V�,適用于多種工業(yè)和汽車級�(yīng)用�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(12mΩ�,降低了�(dǎo)通損耗并提高了系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)能力,開�(guān)時間僅為�(shù)十納秒,減少了開�(guān)損��
  4. 低柵極電荷(39nC�,簡化了�(qū)動電路設(shè)�(jì)并提高了�(qū)動效��
  5. 封裝形式為TO-263,提供優(yōu)秀的散熱性能,適合高功率密度�(shè)�(jì)�
  6. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),保證了在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性�

�(yīng)�

IRF9953TR適用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 各種電機(jī)�(qū)動電�,包括步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
  3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的高側(cè)或低�(cè)開關(guān)�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��

替代型號

IRF9952TR, IRF9954TR

irf9953tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf9953tr資料 更多>

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  • 描述
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irf9953tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds190pF @ 15V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)