IRF9953TR是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-263封裝形式,廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載切換等場景。其高擊穿電壓(Vds�、低�(dǎo)通電阻(Rds(on))以及出色的開關(guān)性能,使其成為高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
IRF9953TR的主要特�(diǎn)是其在高頻工作條件下仍然能夠保持較低的開�(guān)損耗,并且具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�。此外,它還具有較低的柵極電�,有助于提高系統(tǒng)的效率和響應(yīng)速度�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):12mΩ
柵極電荷�39nC
總電容(Ciss):845pF
開關(guān)時間(典型值):ton=27ns, toff=14ns
功耗:256W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
IRF9953TR具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(40V�,適用于多種工業(yè)和汽車級�(yīng)用�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(12mΩ�,降低了�(dǎo)通損耗并提高了系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力,開�(guān)時間僅為�(shù)十納秒,減少了開�(guān)損��
4. 低柵極電荷(39nC�,簡化了�(qū)動電路設(shè)�(jì)并提高了�(qū)動效��
5. 封裝形式為TO-263,提供優(yōu)秀的散熱性能,適合高功率密度�(shè)�(jì)�
6. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),保證了在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性�
IRF9953TR適用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 各種電機(jī)�(qū)動電�,包括步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的高側(cè)或低�(cè)開關(guān)�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
IRF9952TR, IRF9954TR