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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 19:15:58 查看 閱讀�20

NGTD30T120F2WP是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用TO-247封裝形式。該器件適用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用和高效率功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)�,廣泛用于工�(yè)電源、太�(yáng)能逆變器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
  這款MOSFET采用了先�(jìn)的制造工藝,具備較低的導(dǎo)通電阻和�(yōu)異的熱性能,從而顯著提升了系統(tǒng)的整體效率和可靠��

參數(shù)

型號(hào):NGTD30T120F2WP
  類型:N-channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�180mΩ(典型值,Vgs=15V�
  總功�(Ptot)�260W
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

NGTD30T120F2WP具有以下主要特性:
  1. 極高的耐壓能力,能夠承受高�(dá)1200V的工作電��
  2. 較低的導(dǎo)通電阻,降低了功率損耗并提高了系�(tǒng)效率�
  3. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在較寬溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(qiáng)大的電流承載能力,峰值電流可�(dá)30A以上�
  6. 緊湊且堅(jiān)固的TO-247封裝,便于散熱和安裝�
  這些特性使該MOSFET非常適合高壓、大電流的應(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

NGTD30T120F2WP廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源�(shè)�(jì),如�(kāi)�(guān)電源(SMPS)和直�-直流�(zhuǎn)換器�
  2. 太陽(yáng)能逆變器中作為�(guān)鍵功率開(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,包括伺服電�(jī)和步�(jìn)電機(jī)�
  4. UPS(不間斷電源)系�(tǒng)中的功率管理�
  5. 電動(dòng)汽車充電樁和車載充電器等新能源相�(guān)�(shè)��
  由于其高壓特性和高效率表�(xiàn),這款MOSFET在各類電力電子設(shè)備中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

NTD30T120F2, IRGB30B120C, FGA30T120

ngtd30t120f2wp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ngtd30t120f2wp參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝散裝
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT 類型溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)1200 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)-
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)200 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2.4V @ 15V�40A
  • 功率 - 最大�-
  • �(kāi)�(guān)能量-
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷-
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�-
  • �(cè)試條�-
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼模具
  • 供應(yīng)商器件封�模具