NGTB30N135IHRWG 是一款由 Nexperia(前身為 NXP 的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部)生產(chǎn)的高壓 MOSFET。該器件屬于 Trench MOSFET 技術(shù)系列,具有高效率和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他功率管理應(yīng)用。
這款器件采用了 TO-268-2 封裝形式,支持高電流密度和快速開(kāi)關(guān)操作,同時(shí)具備優(yōu)異的熱性能表現(xiàn)。
型號(hào):NGTB30N135IHRWG
類(lèi)型:N 溝道 MOSFET
Vds(漏源極電壓):1350V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):3.4Ω
Id(連續(xù)漏極電流):30A
封裝:TO-268-2
功耗:390W
柵極電荷:37nC
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
NGTB30N135IHRWG 提供了高耐用性和可靠性,非常適合工業(yè)及汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。其主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:1350V 的 Vds 可以在高壓環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 為 3.4Ω,在高頻開(kāi)關(guān)條件下減少功率損耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)能力:較低的柵極電荷和反向恢復(fù)時(shí)間,提升了整體系統(tǒng)效率。
4. 熱穩(wěn)定性:能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行,并且具有良好的散熱性能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):采用環(huán)保材料制造,滿(mǎn)足國(guó)際法規(guī)要求。
此器件還經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量測(cè)試,確保在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期使用。
NGTB30N135IHRWG 主要應(yīng)用于需要高電壓和大電流處理能力的場(chǎng)景中,例如:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
4. 太陽(yáng)能逆變器
5. 不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)
6. 電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)備
7. 高壓負(fù)載切換電路
這些應(yīng)用領(lǐng)域均依賴(lài)于其卓越的電氣特性和堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率傳輸。
NGTB50N120N3G, IRG4PH30KD