�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�
制造商: ON Semiconductor�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�封裝 / 箱體: TO-263-3集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 390 V集電極—射極擊穿電�: 350 V集電極—射極飽和電�: 50 V柵極/�(fā)射極最大電�: 15 V集電極最大連續(xù)電流 Ic: 20 A柵極—射極漏泄電�: 150 W功率耗散: 150 W封裝: Tube配置: Single
IC型號(hào)索引� A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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