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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NGB18N40CLBT4G

NGB18N40CLBT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/11/22 16:59:44 查看 閱讀�199

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: ON Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-263-3
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 430 V
集電極—射極擊穿電�: 395 V
集電極—射極飽和電�: 46 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 18 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 18 A
柵極—射極漏泄電�: 115 W
功率耗散: 115 W
封裝: Reel
配置: Single

ngb18n40clbt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ngb18n40clbt4g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ngb18n40clbt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)430V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�2V @ 4.5V�10A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)18A
  • 功率 - 最�115W
  • 輸入類型邏輯
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NGB18N40CLBT4GOS