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NDT456P 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:10:33 查看 閱讀�15

NDT456P是一種N溝道增強型功率MOSFET,適用于高頻開關應用和功率轉換場�。該器件采用先進的半導體工藝制�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及負載開關等應用領域�
  NDT456P以其出色的電氣性能和可靠性而著�,能夠提供高效的功率傳輸并減少能量損��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�28A
  導通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�37nC
  輸入電容�1040pF
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

NDT456P的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,可顯著降低功��
  2. 高速開關性能,支持高頻操��
  3. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下可靠運行�
  4. 具有高雪崩擊穿能力和魯棒�,確保在異常條件下也能正常工作�
  5. 小型化封裝設�,有助于節(jié)省電路板空間�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料�

應用

NDT456P廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的功率開��
  2. DC-DC轉換器的核心功率元件�
  3. 電機驅動電路中的功率級控��
  4. 各類負載開關和保護電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)模塊�

替代型號

NTD456P, NDT456N

ndt456p推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
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ndt456p資料 更多>

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  • NDT456P
  • P-Channel Enhancement Mode Field Eff...
  • FAIRCHILD
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ndt456p參數(shù)

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫歐 @ 7.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1440pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應商設備封�SOT-223-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NDT456PTR