NDL0505S是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,主要用于高頻開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和射頻功率放大器等應用。該器件采用了先進的GaN-on-Si工藝,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減小設計尺��
NDL0505S的工作電壓范圍為40V�60V,適合于中高電壓的應用場�。其緊湊的封裝形式進一步提升了熱性能,同時簡化了PCB布局�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�15nC
開關頻率:超�5MHz
結溫范圍�-55℃至+150�
封裝形式:DFN5x6
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損��
2. 高速開關能�,支持高�5MHz以上的開關頻率�
3. �(nèi)置ESD保護電路,增強器件的可靠��
4. 小型化的DFN封裝,減少寄生效應并提升散熱性能�
5. 適用于硬開關和軟開關拓撲結構�
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
1. 開關模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和USB-PD快充模塊�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是隔離式和非隔離式設計�
3. 射頻功率放大�,用于無線通信設備�
4. 工業(yè)自動化中的脈寬調(diào)制(PWM)驅(qū)動�
5. 汽車電子系統(tǒng),如車載充電器和LED�(qū)動器�
6. 可再生能源領域的微型逆變器和能量管理單元�
NDL0504S, NDL0506S, GaN Systems GS61008P