TF50N06是一款N溝道增強型MOSFET,廣泛應用于各種開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等場景中。該器件采用了先進的半導體工藝技術,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合高頻開關應用。其額定電壓為60V,額定電流為50A,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:50A
導通電阻(典型值):12mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
輸入電容:1100pF
總功耗:150W
工作溫度范圍:-55℃~150℃
TF50N06具備低導通電阻的特點,這使得其在導通狀態(tài)下產(chǎn)生的功率損耗較低,從而提高了系統(tǒng)的整體效率。此外,該器件具有較快的開關速度,可以滿足高頻應用的需求。其高雪崩能量能力也使其在異常條件下具有良好的魯棒性。
TF50N06采用了TO-220封裝形式,這種封裝方式不僅散熱性能良好,而且易于安裝和使用。器件內(nèi)部集成了防靜電保護電路,進一步增強了其可靠性。
由于其出色的電氣特性和可靠性,TF50N06非常適合用于工業(yè)控制、汽車電子、消費類電子產(chǎn)品等領域中的功率管理與轉(zhuǎn)換。
該MOSFET適用于多種電力電子應用場景,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
4. 電機驅(qū)動與控制
5. 逆變器設計
6. 照明驅(qū)動電路
7. 汽車電子設備中的負載切換
TF50N06憑借其高效能和穩(wěn)定性,是許多功率轉(zhuǎn)換及控制應用的理想選擇。
IRF540N
STP50NF06
FQP50N06L