NCE40P06J 是一款由 ON Semiconductor 提供� 40V N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT23-3 封裝,適用于需要高效能和緊湊設計的應用場景。其低導通電阻特性使其非常適合于負載開關、電源管理以及便攜式設備中的各種功率轉換應用�
� MOSFET 的主要特點是低導通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下可提供高效的功率傳輸,并減少功�。此�,它還具備快速開關性能,能夠適應高頻開關電路的需求�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�1.2A
導通電阻(Rds(on)):280mΩ
柵極電荷�5nC
總電容:220pF
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:SOT23-3
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能力,適合高頻開關應用�
3. 小型� SOT23-3 封裝,節(jié)� PCB 空間,適用于緊湊型設��
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠性�
5. 具備較高的雪崩擊穿能�,提高器件在過載條件下的耐用��
1. 手機和平板電腦等便攜式電子設備中的負載開��
2. 各類 DC-DC 轉換器和降壓�(wěn)壓器�
3. 電池供電設備中的功率管理模塊�
4. LED 驅動電路�
5. 信號放大器及音頻功放中的保護電路�
6. 工業(yè)控制和消費類電子產品中的小信號處理與功率切換�
NTMFS4837N
FDP15N04L
IRLML6402TRPBF