日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDS9435A

FDS9435A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/3 15:26:31 查看 閱讀�430

FDS9435A是一種N溝道MOSFET晶體�,由富士康電子公司生�(chǎn)。該晶體管采用了先�(jìn)的Trench技�(shù),使其具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和低輸入電容等特�(diǎn)。其最大漏電流�1mA,最大漏電壓�30V,最大耗散功率�1W�
  FDS9435A晶體管的封裝為SOT23-3,尺寸為3.05mm x 1.6mm x 1.3mm。其工作溫度范圍�-55℃至150�,可用于各種工業(yè)和電子設(shè)備中。該晶體管在電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、LED�(qū)�(dòng)、電源開�(guān)和音頻放大器等領(lǐng)域廣泛應(yīng)��
  FDS9435A晶體管的�(yōu)�(diǎn)包括:在高電壓下工作�(shí)具有�(yōu)異的性能、低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度、低輸入電容、溫度穩(wěn)定性好�。此外,該晶體管還采用了無鉛制造工�,符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),對(duì)�(huán)境友��

參數(shù)與指�(biāo)

1、閾值電壓:-1V�-2.5V
  2、最大漏源電壓:30V
  3、最大漏極電流:5.7A
  4、最大功耗:2.5W
  5、開�(guān)�(shí)間:5ns�10ns
  6、掉電電流:1μA
  7、封裝形式:SOT-23

組成�(jié)�(gòu)

FDS9435AN晶體管由源極、漏極和柵極三�(gè)電極組成。其�,源極和漏極之間的通道是由P型半�(dǎo)體材料制成的,而柵極則是由金屬材料制成�。當(dāng)施加電壓到柵極時(shí),柵極和通道之間�(huì)形成一�(gè)電場(chǎng),該電場(chǎng)可以控制通道的導(dǎo)電性能,從而控制漏源電流的大小�

工作原理

FDS9435AN晶體管的工作原理可以分為兩�(gè)階段:導(dǎo)通階段和截止階段�
  1、導(dǎo)通階�
  �(dāng)施加正電壓到柵極�(shí),柵極和通道之間形成的電�(chǎng)�(huì)吸引通道中的電子,從而形成一�(gè)�(dǎo)電通道。此�(shí),漏極和源極之間的電阻值較低,即形成了一�(gè)低阻通路,電流可以從源極流向漏極。當(dāng)柵極電壓�(dá)到一定值時(shí),通道中的電子�(shù)量已�(jīng)飽和,此�(shí)漏源電流�(dá)到最大值�
  2、截止階�
  �(dāng)施加�(fù)電壓到柵極時(shí),柵極和通道之間的電�(chǎng)�(huì)被抵�,通道中的電子�(shù)量會(huì)減少,形成了一�(gè)高阻通路,漏源電流會(huì)逐漸減小,最終變?yōu)�?。此�(shí),晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)�

技�(shù)要點(diǎn)

1、小封裝:FDS9435AN采用SOT-23封裝,尺寸小巧,便于集成到復(fù)雜的電路板中�
  2、低電壓控制:FDS9435AN的閾值電壓為-1V�-2.5V,非常適合低電壓控制�(yīng)用,例如智能手機(jī)、平板電腦等�
  3、高速開�(guān):FDS9435AN的開�(guān)�(shí)間只�5ns�10ns,可以實(shí)�(xiàn)高速開�(guān)操作,適合高速數(shù)�(jù)傳輸和信�(hào)處理等應(yīng)��
  4、低功耗:FDS9435AN的掉電電流僅�1μA,可以有效降低系�(tǒng)功耗�

�(shè)�(jì)流程

1、確定工作電壓:根據(jù)�(yīng)用場(chǎng)景確定工作電壓范��
  2、選擇封裝:根據(jù)電路板尺寸和�(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的封裝�
  3、確定控制方式:根據(jù)�(yīng)用需求確定控制方�,例如直流控�、脈沖控制等�
  4、計(jì)算電路參�(shù):根�(jù)�(yīng)用需求計(jì)算電路參�(shù),例如電流、電�、電容等�
  5、選擇合適的FDS9435AN晶體管:根據(jù)�(yīng)用需求選擇合適的FDS9435AN晶體管,例如閾值電�、最大漏源電�、最大漏極電流等�
  6、�(jìn)行電路設(shè)�(jì):根�(jù)上述參數(shù)�(jìn)行電路設(shè)�(jì),包括原理圖�(shè)�(jì)和PCB�(shè)�(jì)�
  7、�(jìn)行實(shí)�(yàn)�(yàn)證:將設(shè)�(jì)好的電路制作成樣品�(jìn)行實(shí)�(yàn)�(yàn)�,檢查電路是否滿足應(yīng)用需��

注意事項(xiàng)

1、溫度限制:FDS9435AN的最大工作溫度為150°C。在超過此溫度時(shí),晶體管可能�(huì)受到損壞�
  2、靜電放電(ESD)保�(hù):為了保�(hù)晶體管免受ESD損壞,應(yīng)在操作前注意接地。此�,還�(yīng)使用ESD保護(hù)器件�
  3、輸入電壓:FDS9435AN的最大輸入電壓為20V。在超過此電壓時(shí),晶體管可能�(huì)受到損壞�
  4、輸入電阻:為了保護(hù)晶體管,�(yīng)限制輸入電阻的大�。此�,輸入電阻應(yīng)保持電平,以避免短路或過��

fds9435a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fds9435a資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fds9435a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 5.3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds528pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS9435ATR