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NCE30P28Q 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 13:19:13 查看 閱讀�23

NCE30P28Q 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率�(kāi)�(guān)器件,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器等�(chǎng)景。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,有助于�(jiǎn)化設(shè)�(jì)并提高功率密度�
  這款芯片通過(guò)�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)特性和熱管理能�,在高頻工作條件下展�(xiàn)出卓越的性能表現(xiàn),同�(shí)能夠顯著降低系統(tǒng)損��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻:1.6mΩ(典型值)
  柵極電荷�9nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(由于是 GaN 器件�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:QFN 8x8mm

特�

NCE30P28Q 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以有效減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持MHz�(jí)別的�(kāi)�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. �(wú)反向恢復(fù)電荷,因?yàn)?GaN 技�(shù)消除了傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的反向恢�(fù)�(wèn)��
  4. 熱性能�(yōu)越,能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板上�(jìn)行布局�
  6. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提升了芯片的魯棒��

�(yīng)�

NCE30P28Q 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),尤其適用于需要高效率和高功率密度的場(chǎng)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,如電動(dòng)汽車(chē)充電模塊或服�(wù)器電源管理系�(tǒng)�
  3. �(wú)�(xiàn)充電�(shè)�,利用其高頻特性實(shí)�(xiàn)高效能量傳輸�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,滿(mǎn)足對(duì)高性能功率器件的需��
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)用�
  6. 快充適配�,助力消�(fèi)電子�(lǐng)域的便攜式快充解決方案�

替代型號(hào)

NCE30P32Q, NCE30P20Q

nce30p28q推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)