NCE30P28Q 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率�(kāi)�(guān)器件,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器等�(chǎng)景。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,有助于�(jiǎn)化設(shè)�(jì)并提高功率密度�
這款芯片通過(guò)�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)特性和熱管理能�,在高頻工作條件下展�(xiàn)出卓越的性能表現(xiàn),同�(shí)能夠顯著降低系統(tǒng)損��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ(典型值)
柵極電荷�9nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(由于是 GaN 器件�
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:QFN 8x8mm
NCE30P28Q 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以有效減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持MHz�(jí)別的�(kāi)�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. �(wú)反向恢復(fù)電荷,因?yàn)?GaN 技�(shù)消除了傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的反向恢�(fù)�(wèn)��
4. 熱性能�(yōu)越,能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板上�(jìn)行布局�
6. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提升了芯片的魯棒��
NCE30P28Q 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),尤其適用于需要高效率和高功率密度的場(chǎng)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,如電動(dòng)汽車(chē)充電模塊或服�(wù)器電源管理系�(tǒng)�
3. �(wú)�(xiàn)充電�(shè)�,利用其高頻特性實(shí)�(xiàn)高效能量傳輸�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,滿(mǎn)足對(duì)高性能功率器件的需��
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)用�
6. 快充適配�,助力消�(fèi)電子�(lǐng)域的便攜式快充解決方案�
NCE30P32Q, NCE30P20Q