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MURS120T3G 發(fā)布時間 時間�2024/6/26 15:34:54 查看 閱讀�208

MURS120T3G是一款高電流表面貼裝二極�,由ON Semiconductor生產(chǎn)。它采用SOD-123封裝,尺寸為2.9mm x 1.8mm x 1.2mm,適用于各種電子設備的緊湊空��
  MURS120T3G具有最大反向電壓為200V和最大連續(xù)正向電流�1A的特性。它具有低反向漏電流和快速恢復時�,可用于高頻開關和整流應用�
  該二極管采用高溫�(huán)境下可靠的PN�(jié)技�,確保了長期�(wěn)定的性能和高可靠�。它還具有低正向壓降和低反向恢復時間,有助于減少功耗和提高效率�
  MURS120T3G還具有低散熱特�,可以在高溫�(huán)境下運行而不會過�。它還具有低電感和低電容,有助于減少電路中的噪聲和干擾�
  該二極管符合RoHS要求,不含鉛和其他有害物�(zhì),對�(huán)境友�。它還通過了可靠性測�,包括高溫循�(huán)、濕度循�(huán)和溫度沖擊等�

參數(shù)和指�

最大反向電壓(VRRM):200V
  最大正向電流(IF):1A
  封裝類型:SOD-123
  尺寸�2.9mm x 1.8mm x 1.2mm
  重量:約0.02g
  反向恢復時間(Trr):20ns
  最大反向漏電流(IR):5μA
  最大正向壓降(VF):1.1V

組成�(jié)�

MURS120T3G由PN�(jié)組成,其中N區(qū)是負極,P區(qū)是正�。它采用高溫�(huán)境下可靠的PN�(jié)技�,確保了長期�(wěn)定的性能和高可靠��

工作原理

MURS120T3G是一種整流二極管,用于將交流信號�(zhuǎn)換為直流信號。當正向電壓大于正向壓降時,二極管進入導通狀�(tài),電流可以從P區(qū)流到N區(qū)。而當反向電壓大于反向電壓�,二極管處于截止狀�(tài),幾乎沒有電流通過�

技術要�

低反向漏電流:MURS120T3G具有低反向漏電流特�,可以減少功耗和提高效率�
  快速恢復時間:該二極管具有快速恢復時�,適用于高頻開關和整流應��
  低正向壓降:MURS120T3G具有低正向壓降特性,可以減少能量損��
  低散熱特性:該二極管具有低散熱特�,可以在高溫�(huán)境下運行而不會過熱�
  低電感和低電容:MURS120T3G具有低電感和低電容,有助于減少電路中的噪聲和干擾�

設計流程

設計流程通常包括以下幾個步驟:
  確定應用需求和性能指標�
  選擇適當?shù)亩O管類型和封裝�
  進行電路設計和仿真�
  制作電路原型并進行測試和驗��
  對電路進行�(yōu)化和�(diào)�,使其滿足要求�
  進行批量生產(chǎn)和應��

注意事項

在設計中應確保電壓和電流不超過該二極管的額定�,以避免損壞�
  根據(jù)實際需求選擇適�?shù)纳岽胧?,以確保二極管在高溫�(huán)境下正常工作�
  注意電路布局和連接的可靠�,以避免干擾和電路損��

murs120t3g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
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murs120t3g資料 更多>

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murs120t3g參數(shù)

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�標準
  • 電壓 - (Vr)(最大)200V
  • 電流 - 平均整流 (Io)2A
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)875mV @ 1A
  • 速度快速恢� = 200mA(Io�
  • 反向恢復時間(trr)35ns
  • 電流 - � Vr 時反向漏�2µA @ 200V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 供應商設備封�SMB
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱MURS120T3GOSDKR