MTVA0600N09G是英飛凌(Infineon)推出的一款高性能、低�(dǎo)通電阻的MOSFET功率晶體管。該器件采用TRENCHSTOP?技�(shù)制�,具有卓越的開關(guān)性能和熱特性,適用于工�(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、太�(yáng)能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
MTVA0600N09G為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,封裝形式為TO-247-3,其額定電壓�900V,能夠承受較高的漏源極電�,同�(shí)具備較低的導(dǎo)通電阻,在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和可靠��
型號(hào):MTVA0600N09G
類型:N溝道MOSFET
額定電壓(Vds):900V
額定電流(Id):600A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型�,@Vgs=15V�
柵極電荷(Qg):130nC(最大值)
輸入電容(Ciss):3880pF
總功耗(Ptot):30W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
MTVA0600N09G采用了先�(jìn)的TRENCHSTOP? IGBT技�(shù),具有以下顯著特性:
1. 高電壓耐受能力:額定電壓為900V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
2. 超低�(dǎo)通電阻:在高電流條件�,導(dǎo)通損耗極低,有助于提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:較低的柵極電荷和輸入電容設(shè)�(jì),使開關(guān)速度更快,減少開�(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠承受高溫運(yùn)行條�,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定工��
5. �(qiáng)大的浪涌電流能力:可�(yīng)�(duì)瞬間大電流沖擊,提高系統(tǒng)的可靠��
6. 封裝�(jiān)固耐用:TO-247-3封裝形式,便于散熱和安裝,適合高功率密度的設(shè)�(jì)需��
MTVA0600N09G廣泛�(yīng)用于各種高功�、高壓場(chǎng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)電源:如不間斷電源(UPS�、焊接設(shè)備等�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于大功率電機(jī)控制,如伺服�(qū)�(dòng)、變頻器��
3. 新能源領(lǐng)域:例如太陽(yáng)能逆變�、風(fēng)能轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
4. 電動(dòng)汽車(EV)充電站:作為關(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換元��
5. 開關(guān)電源(SMPS):在需要高效率和高可靠性的�(chǎng)合下使用�
MTVD0600N09G, FGH06N90LD, IRGP4094