時間：2025/5/20 16:59:04
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MTP2N60E是一種N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等領(lǐng)域。該器件采用了先進的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
其封裝形式通常為TO-220或TO-252，具體取決于制造商的設(shè)計標準。這種MOSFET適用于需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場合。
最大漏源電壓：600V
最大柵源電壓：±20V
最大連續(xù)漏極電流：3.7A
最大脈沖漏極電流：14.8A
導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5Ω
總功耗：115W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
MTP2N60E具有以下主要特性：
1. 高耐壓能力，適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 較低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)性能，支持高頻操作。
4. 內(nèi)置雪崩能量保護功能，增強可靠性。
5. 緊湊的封裝設(shè)計，便于電路板布局。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛材料。
MTP2N60E常用于以下應(yīng)用場景：
1. 開關(guān)電源中的功率轉(zhuǎn)換級。
2. 電機驅(qū)動電路中的功率開關(guān)。
3. 負載切換和保護電路。
4. LED照明系統(tǒng)的恒流控制。
5. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 電池充電器及逆變器中的關(guān)鍵元件。
IRF640N
STP2N60F
FDP2N60C
