H57V1262GTR-75I 是一款基于碳化硅(SiC)技術(shù)的 MOSFET 功率晶體管。該器件適用于高頻、高效和高溫的應(yīng)用場景,其出色的開關(guān)性能和低導通電阻使其成為電力電子系統(tǒng)中的理想選擇。
該型號屬于高壓功率 MOSFET 系列,主要針對工業(yè)和汽車領(lǐng)域設(shè)計。其封裝形式為 TO-247-3L,能夠提供高可靠性與散熱性能。
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流:62A
導通電阻(典型值):7.5mΩ
柵極電荷(Qg):95nC
輸入電容(Ciss):2380pF
反向恢復時間(trr):85ns
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
H57V1262GTR-75I 具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻,在高電流應(yīng)用中可以顯著降低功耗。
2. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗并提高效率。
3. 高耐壓能力,適合高達 1200V 的應(yīng)用場景。
4. 強大的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下運行。
5. 超低反向恢復電荷,減少開關(guān)噪聲和振蕩。
6. 封裝采用 TO-247-3L,確保良好的散熱性能與機械強度。
這些特性使得該器件非常適合用于需要高性能和高可靠性的場合,如電動汽車充電系統(tǒng)、光伏逆變器以及電機驅(qū)動等。
該器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 新能源汽車中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電機。
2. 工業(yè)領(lǐng)域的不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器和風能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
3. 高頻 DC/AC 變換器及電機控制器。
4. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電路。
H57V1262GTR-75I 的高性能使其成為上述應(yīng)用的理想選擇,尤其是在對效率和可靠性要求較高的環(huán)境中。
H57V1262KTR-75I