MTP2N50E是一種N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供高效的性能表現(xiàn)�
這種MOSFET的封裝形式通常為T(mén)O-220,能夠承受較高的電壓,并且具備良好的散熱性能,使其成為工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中廣泛�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�4.3A
柵極電荷�45nC
�(dǎo)通電阻:1.9Ω
總功耗:75W
工作溫度范圍�-55� to +150�
MTP2N50E的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓,可達(dá)�500V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
2. 極低的導(dǎo)通電阻,�4.3A的額定電流下僅為1.9Ω,從而減少了�(dǎo)通損��
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,具有較低的柵極電荷�45nC�,可以有效降低開(kāi)�(guān)損��
4. 高可靠性設(shè)�(jì),確保在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
5. TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于安裝并提供�(yōu)良的散熱性能�
MTP2N50E廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 電磁閥驅(qū)�(dòng)
5. �(fù)載切換和保護(hù)電路
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控�
由于其高電壓承受能力和快速開(kāi)�(guān)特性,該器件特別適合于需要高頻工作的功率�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)��
MTP2N50,
IRF540N,
STP50NF06,
FQP50N06L