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MA26V11001TD 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 21:40:16 查看 閱讀�13

MA26V11001TD是一款高性能的MOSFET功率晶體�,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和逆變器等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為TO-220,便于散熱設(shè)計和電路布局�
  MA26V11001TD屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠在高頻和大電流�(huán)境下提供高效的功率轉(zhuǎn)換,同時具備良好的耐受電壓能力,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)電子場景�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�100V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�11A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  輸入電容(Ciss)�1400pF
  開關(guān)時間:開啟時�(t_on)=25ns,關(guān)閉時�(t_off)=35ns
  功�(PD)�140W(在殼溫Tc=25℃時�
  工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+150�

特�

MA26V11001TD具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,減少開�(guān)損��
  3. �(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足大功率�(yīng)用需��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,確保器件在高溫條件下依然保持可靠運(yùn)��
  5. TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝,易于集成到各種電路�(shè)計中,并支持高效的散熱管��
  6. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)100V的漏源電�,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  7. �(yōu)異的靜電防護(hù)能力,降低了因ESD損壞的風(fēng)��
  這些特性使MA26V11001TD成為高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

MA26V11001TD廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
  3. 逆變器和變頻器中的開�(guān)組件�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載控��
  5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的快速充電解決方��
  6. 照明系統(tǒng)的LED�(qū)動器�
  7. 其他需要高性能功率切換的應(yīng)用場��
  由于其出色的電氣特性和可靠�,MA26V11001TD在眾多行�(yè)中得到了廣泛�(yīng)��

替代型號

MA26V11002TD, IRFZ44N, FDP5580

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