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H9TP32A8JDACPR-KGM 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 8:42:14 查看 閱讀�10

H9TP32A8JDACPR-KGM 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的存儲芯�,屬� NAND Flash 類型。該芯片主要�(yīng)用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的場景,例如固態(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存盤、嵌入式存儲�(shè)備等。其采用先�(jìn)的制程工�,在保證性能的同時降低功�。這款芯片支持高速接口和多頁操作,適合對速度和穩(wěn)定性要求較高的�(yīng)用環(huán)��
  該型號中� H9 表示是海力士的產(chǎn)品系�,T 表示 NAND Flash 類型,P 表示封裝形式� FBGA,而具體參�(shù)如容�、電壓范圍和其他特性則通過后續(xù)編碼�(jìn)一步定義�

參數(shù)

容量�32Gb
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:FBGA
  引腳�(shù)�169
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保存時間:超�10�
  擦寫壽命:約3000�

特�

H9TP32A8JDACPR-KGM 具備高密度存儲能�,能夠以較低成本�(shí)�(xiàn)大容量數(shù)�(jù)存儲�
  它采用了先�(jìn)� NAND Flash 技�(shù),具備以下特�(diǎn)�
  1. 高速讀寫性能:支� Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,提供高�(dá) 200MT/s 的傳輸速率�
  2. 小尺寸封裝:使用 169 � FBGA 封裝技�(shù),使其非常適合空間受限的�(yīng)用場��
  3. 節(jié)能設(shè)�(jì):低功耗模式可以顯著減少能源消�,延長電池驅(qū)動設(shè)備的�(xù)航時��
  4. 可靠性:具有較強(qiáng)的抗干擾能力和較長的�(shù)�(jù)保存期限,適合長期存儲任�(wù)�
  5. 多頁操作支持:允許同時處理多個頁面,從而提高效率并簡化控制器設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

H9TP32A8JDACPR-KGM 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):
  由于其大容量和高性能的特�(diǎn) SSD ��
  2. 移動�(shè)備:
  包括智能手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)�,為其提供快速響�(yīng)和高效存儲功能�
  3. 嵌入式系�(tǒng)�
  適用于工�(yè)控制、車載系�(tǒng)以及其他需要穩(wěn)定運(yùn)行環(huán)境的嵌入式應(yīng)��
  4. 存儲卡與 USB �(shè)備:
  常被用作 microSD 卡或 USB 閃存盤的核心存儲組件,滿足消�(fèi)者對于大容量移動存儲的需求�
  5. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:
  路由�、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)硬件中也會集成此類存儲芯片,用于固件存儲或臨時數(shù)�(jù)緩沖�

替代型號

H9TP51A8JDATR-KGM
  H9TQ32A8JDBAR-KGM
  H9HQ32A8JMBBR-KEM

h9tp32a8jdacpr-kgm推薦供應(yīng)� 更多>

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