MT5692SMI-L-34.R1是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為SOP-8,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽�(chē)電子等領(lǐng)��
該器件在�(shè)�(jì)�(shí)注重效率�(yōu)�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能。同�(shí),它還具備良好的電磁兼容�(EMC)和抗干擾能力,能夠在�(fù)雜的工作�(huán)境中保持�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):MT5692SMI-L-34.R1
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�34A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V條件下)
總功�(Ptot)�70W
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
封裝形式:SOP-8
1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高�(dá)34A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)特�,可有效降低�(kāi)�(guān)損耗�
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行�
5. �(nèi)置靜電保�(hù)(ESD)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛�
7. SOP-8封裝形式,適合自�(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)需求�
8. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. 電池管理系統(tǒng)的保�(hù)電路�
5. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切換控��
6. 工業(yè)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
7. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效能功率管理方案�
IRF540N
STP36NF06L
FDP5570N
AO3400